中科院专家陈小龙、王文军来校作学术讲座

    11月24日，应物理与电子工程学院约请，中国科学院专家陈小龙博士、王文军博士来校，为学院材料系师生作专题学术讲座。物电学院院长陈英才教授主持讲座。
    陈小龙博士现任中科院物理所功能晶体研究与应用中间主任，国家卓异青年科学基金获得者，“新世纪百万万人才工程”国家级人选，长期从事宽禁带半导体材料和新功能晶体材料探索方面的研究工作，先后主持国家863、973和国家科技支持计划等23个科研项目。王文军博士重要从事MOCVD法生长InN、GaN薄膜及其物性的研究，获得了高电子迁移率InN薄膜，目前主持国家天然科学基金2项、973课题1项。
    陈小龙博士在“若干功能新材料和新效应探索及晶体生长”专题讲座中，首先列举DNA双螺旋结构、青蒿素、石墨烯等新材料的发现，阐述了新材料的发现对于科学发展所具有的紧张意义；然后从相图测定、结构类比、材料基因方法、第一性原理计算等方面介绍了如何去发现新材料。讲座细致阐述了碳化硅从晶体生长到如今产业化的整个发展历程，深入简出，普通易懂。
    王文军博士的讲座以“PVT法AlN晶体生长研究进展”为主题，首先介绍了AlN晶体作为第三代半导体材料，及其在高压、高温、高频等方面的性能上比晶体硅具有凸起的综合上风，从而在高温、高频、大功率电子器件、光电子器件、激光器件等半导体器件中有着优秀的应用前景；然后细致阐述了AlN晶体生长面临的题目，以及课题组十几年来对于AlN晶体生长工艺赓续改动优化采取的技术手段和课题组掌握的AlN晶体生长的核心技术，并对AlN晶体生长将来的发展作了瞻望。
    讲座结束后，两位专家还与师生们就AlN晶体生长面临的关键题目、国内外在材料研发上的差距等题目进行了深入的交流讨论；同时还介绍了中科院物理所的招生政策，鼓励同窗们报考中国科学院物理研究所的研究生。本次讲座增强了学院的学术交流，营造了优秀的对交际流与学习氛围。